高度なパワーの窒化ガリウムソリューションの開発と発売を加速します。 STの自動車市場の専門知識とTSMCの世界をリードする製造技術を最大限に活用します。ワイドバンドギャップ製品のエネルギー効率を改善し、電力変換アプリケーションのエネルギー効率を高める
2月24日、STMicroelectronicsとTSMCは協力して、窒化ガリウム（GaN）プロセス技術の開発とGaNディスクリートおよび集積デバイスの供給を加速しました。このコラボレーションにより、STの革新的な戦略的窒化ガリウム製品は、TSMCの業界をリードするGaN製造プロセスを使用します。
镓窒化ガリウム（GaN）は、ワイドバンドギャップ半導体材料です。従来のシリコンパワー半導体と比較して、明らかな利点があります。たとえば、高電力での作業時のエネルギー効率が高く、寄生電力損失が大幅に削減されます。 GaNテクノロジーは、よりコンパクトなデバイスを設計することもできるため、ターゲットアプリケーションのフォームファクターが向上します。さらに、窒化ガリウムデバイスのスイッチング速度はシリコンデバイスの10倍であり、同時にピーク動作温度が高くなります。これらの堅牢で強い材料特性により、窒化ガリウムは、成長する100Vおよび650Vの自動車、産業、通信、特定の消費者およびその他のアプリケーションに非常に適しています。
具体的には、同じトポロジーに基づくシリコン技術と比較して、パワー窒化ガリウムおよび窒化ガリウムIC技術により、STMicroelectronicsは顧客にハイブリッドおよび電気自動車を含む中〜高電力アプリケーション向けの優れたエネルギー効率ソリューションを提供できます。電力変換器および充電器。パワー窒化ガリウムおよび窒化ガリウムIC技術は、乗用車および商用車の電化の急速な発展を促進するのに役立ちます。
STマイクロエレクトロニクスの自動車およびディスクリートデバイスの社長であるマルコ・モンティは、次のように述べています。窒化ガリウムおよび窒化ガリウムIC製品の市場投入によりもたらされた機会。TSMCは信頼できる鋳造パートナーであり、それらのみがSTの対象顧客の独自の信頼性と開発計画の要件を満たすことができます。フランスのトゥールにある工場でCEA-Letiと協力して、窒化ガリウムの生産。 GaNは、電力およびスマートパワーエレクトロニクスとプロセス技術における次の主要な革新です。」
「STMicroelectronicsと協力して、窒化ガリウムパワーエレクトロニクス技術を産業用および自動車用電力変換システムアプリケーションに活用することを楽しみにしています。TSMCの業界をリードする窒化ガリウム製造の専門知識とSTの製品設計および自動車グレード認証の組み合わせにより、エネルギーが大幅に改善されます産業用および自動車用の電力変換の効率を高め、エネルギー効率を高め、環境にやさしくし、自動車の電化プロセスを加速します。」
STMicroelectronicsは、今年後半に窒化ガリウム電力デバイスの最初のサンプルを主要顧客に提供し、その後数ヶ月でGaN IC製品を提供する予定であると報告されています。