7月27日、サムスン電子は、同社の半導体事業の技術開発責任者であるクー・ジャヒョンとの公式インタビューを公開しました。このインタビューでは、サムスンが次世代のHBM5高帯域幅メモリのプロセスアーキテクチャ、期待される性能改善、ターゲットアプリケーションを初めて概説し、業界のHBMロードマップに対するより明確なガイダンスを提供しました。
クー氏は、HBM5が現在量産されているHBM4E世代よりも50%以上速く動作することが期待されていると述べました。コアベースダイは、2ナノメートルのゲートオールアラウンドトランジスタプロセスを使用して製造され、さらに強化された高度に統合されたスルーシリコンバイア技術と組み合わせられます。この設計は、トランジスタアーキテクチャ、ウエハプロセステクノロジー、スタックされた相互接続全体にわたる性能向上を提供することを目的としています。
サムスンは、4ナノメートルノードでHBM4ベースダイを生産することで得たプロセス経験と量産能力を活用します。HBM5に先行して先進的な2ナノメートルプロセスを導入することで、同社は高性能AIメモリ市場での技術的ポジションを強化することを目指しています。
市場拡大の観点から、サムスンはHBM5をコア製品として使用し、複数の市場にわたる顧客のカバレッジを広げる計画です。AI大規模モデルのトレーニングや高性能コンピューティングアプリケーションを支援するだけでなく、この製品はモバイルデバイス、自動車用電子機器、人型ロボット、その他の新興セグメントに拡張されると期待されています。サムスンは、高性能メモリ製品を通じて、複数のデバイスカテゴリにわたるコンピューティング需要に対応し、半導体エコシステムをさらに拡大することを目指しています。
このインタビューは、サムスンの現在の技術開発計画を反映しています。同社は、2ナノメートルGAAプロセスの歩留まりの向上、高度に統合されたTSVスタッキングの量産課題、またはHBM5のサンプリングと量産スケジュールの詳細を開示しませんでした。
業界の観察者は、HBM5が2028年頃には高性能AIアクセラレーターの標準メモリソリューションになると広く期待しています。製品仕様、顧客資格、および生産能力に関する追加の詳細は、今後のサムスンの技術イベントや決算説明会で発表されることが期待されています。