SST26VF016-80-5I-QAE-Tは、Microchip Technologyによって製造された高性能な16Mbシリアルクアッドインターフェース（SQI）フラッシュメモリデバイスであり、さまざまな電子システムの堅牢で効率的なデータストレージ用途に適しています。この無鉛表面実装型の集積回路は、コンパクトな8-WSONパッケージに優れた柔軟性とパフォーマンスを提供します。
このメモリチップは、-40°Cから85°Cまでの拡張工業用温度範囲で動作し、自動車、産業制御、通信機器などの厳しい環境にも対応可能です。高度なシリアルクアッドI/Oインターフェースにより、80MHzまでの高速データ転送を実現し、迅速な読み出しと書き込みを可能にします。書き込みサイクル時間はページまたはワードあたり1.5msです。
2M×8のメモリ構成により、電源電圧範囲は2.7Vから3.6Vまで対応し、最新の電子システムとの高い互換性を確保しています。不揮発性のフラッシュ技術により、電源断時にもデータの保持が可能であり、永続的な記憶が必要なアプリケーションに適しています。
主な特長は、コンパクトな外形、ハイスピードなデータ転送、省電力性、そして剛性のある環境耐性です。このデバイスは、信頼性と効率性の高いメモリ性能が求められる組込みシステム、IoTデバイス、携帯電子機器、産業用制御アプリケーションに特に適しています。
SST26シリーズの互換・代替モデルには、SST26VF032、SST26VF064、SST26VF080などがあり、これらは類似したアーキテクチャを持ちながら、メモリ容量が32Mbから64Mbまで異なるバリエーションを提供します。これにより、設計要件に応じたスケーラブルなソリューションをエンジニアに提供しています。
このデバイスはRoHS規格に準拠しており、環境負荷に配慮した設計となっています。また、湿気感度レベルMSL3を備え、適度な湿度や環境条件に耐える堅牢なパッケージングが施されています。
SST26VF016-80-5I-QAE-T 主要技術的特徴
メモリ容量は16Mb（2MB x 8ビット）で、非揮発性メモリタイプです。耐環境性能が高く、広い動作温度範囲-40°Cから85°Cまで対応します。80MHzのクロック周波数とSPI - Quad I/Oインターフェースを採用し、高速なデータ読書きが可能です。書き込みサイクル時間は1.5msで、効率的なデータ管理を実現します。
SST26VF016-80-5I-QAE-T 梱包サイズ
パッケージ・ケースは8-WDFNエクスポーズドパッドで、コンパクトな設計です。パッケージングはテープ＆リール（TR）方式で供給されます。電源電圧は2.7Vから3.6Vの範囲です。
SST26VF016-80-5I-QAE-T 用途
主にデータ記録ソリューションに利用されており、多様な電子機器において信頼性の高い非揮発性メモリとしてデータの保存に適しています。高速・大容量のストレージが求められる用途に最適です。
SST26VF016-80-5I-QAE-T 特徴
16MbのFLASHメモリを搭載し、集中的な読み書き作業に適しています。-40°Cから85°Cまでの広範な動作温度範囲と、80MHzの高速動作を実現。SPI-Quad I/Oインターフェースにより、低ピン数で高スループットの通信が可能です。ワードおよびページの書き込みサイクル時間は1.5msです。
SST26VF016-80-5I-QAE-T 品質と安全性の特徴
RoHS指令に準拠し、鉛フリーの構成となっています。また、湿度耐性レベル（MSL）は3（168時間）で、保管や取り扱い中の湿気対策が施されています。安全性と環境配慮を兼ね備えた製品です。
SST26VF016-80-5I-QAE-T 互換性
高速度かつ信頼性の高いフラッシュストレージを必要とするさまざまな用途に対応できる、多用途なSPI-Quad I/Oインターフェースとコンパクトな8-WSONパッケージを採用しており、多くの電子機器との互換性があります。
SST26VF016-80-5I-QAE-T データシートPDF
詳細な技術仕様や製品属性については、当社ウェブサイトからSST26VF016-80-5I-QAE-Tの最も信頼性の高いデータシートをダウンロードしてください。メーカーから直接正確な情報を入手できます。
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