部品型番 | DMN2500UFB4-7 |
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メーカーブランド | Diodes Incorporated |
在庫数量 | 1000 pcs Stock |
プロダクト | ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル |
説明 | MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN |
フリーステータス/ RoHS状態: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
DMN2500UFB4-7のデータシート | DMN2500UFB4-7詳細[en].pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±6V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | X2-DFN1006-3 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 400 mOhm @ 600mA, 4.5V |
電力消費(最大) | 460mW (Ta) |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 3-XFDFN |
他の名前 | DMN2500UFB4-7DITR DMN2500UFB47 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 60.67pF @ 16V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 0.74nC @ 4.5V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.8V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20V |
詳細な説明 | N-Channel 20V 810mA (Ta) 460mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 810mA (Ta) |