SI1563DH-T1-GE3は、Electro-Films(EFI)およびVishayによって開発された高性能MOSFET(メタルオキシド半導体絶縁型トランジスタ)で、堅牢で効率的な電力管理を必要とする高度な電子機器用途に適しています。
このNチャネルおよびPチャネルのMOSFETは、コンパクトなSC70-6表面実装パッケージを採用しており、省スペース設計の電子回路に最適です。動作温度範囲は-55°Cから150°Cと広く、過酷な環境条件下でも安定した性能を発揮します。
主要な技術的特徴としては、25°Cでの連続ドレイン電流が1.13A、低いオン抵抗値280mΩ、最大ゲート閾値電圧1Vを備えています。ドレインとソース間の最大電圧は20V、最大電力出力は570mWです。ロジックレベルのゲート設計により、スイッチング効率が高く、現代デジタル回路との互換性も良好です。
TrenchFET技術により、わずか2nCのゲートチャージ(4.5V時)が実現されており、これにより省エネルギー性能の向上と電力消費の削減を実現しています。これらの特長から、消費者電子機器、自動車用システム、電力管理、通信インフラといった用途に特に適しています。
RoHS規格に適合し、テープおよびリール包装で供給されるため、製造工程の効率化にも寄与します。市場には、International Rectifier、ON Semiconductor、Texas Instrumentsなどのメーカーによる、同等の仕様を持つ競合モデルも存在します。
電子設計の専門家は、この耐久性の高いパフォーマンスやコンパクトな形状、広い温度範囲を活用して、精度と効率を追求する先進的な電力切り替え回路の開発に役立てることができます。
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SI1563DH-T1-GE3 主要技術的特徴
メーカー品番:SI1563DH-T1-GE3。電気的特性として、最大ドレイン・ソース間電圧は20V、連続ドレイン電流は25°Cで1.13A(Nチャネル)、800mA(Pチャネル)。MOSFET技術を採用し、高効率で低オン抵抗を実現しています。耐熱温度範囲は-55°Cから150°Cまで対応し、丈夫な設計が特徴です。
SI1563DH-T1-GE3 梱包サイズ
タイプはテープ&リール(TR)。封止材質はTSSOP、SC-88、SOT-363。サイズはSC-70-6規格、ピン配置はSOT-363となっています。両面のコーティングやパッケージ仕様により、表面実装に適しています。
SI1563DH-T1-GE3 用途
パソコン、通信システム、家庭用電子機器など、多様な電子機器の高効率電源管理用途に最適です。低オン抵抗と高速スイッチング能力を活かした電力制御に理想的です。
SI1563DH-T1-GE3 特徴
SI1563DH-T1-GE3は、2つのNチャネルとPチャネルMOSFETを搭載したダブル設計で、20V動作に対応します。オン抵抗は最大280ミリオーム(1.13A、4.5V時)。ロジックレベルゲートに対応し、Vishayの高度なTrenchFET技術を採用しています。ゲートチャージは4.5Vで2ナコバルで、スイッチング速度も高速です。
SI1563DH-T1-GE3 品質と安全性の特徴
製品は厳格な品質管理基準を満たし、高品質の素材を使用して耐久性と性能を保証します。動作温度範囲は-55°Cから150°Cまでと広範囲に対応し、安全性と信頼性を確保しています。
SI1563DH-T1-GE3 互換性
SOT-363ピン配置および表面実装技術に対応しており、多くの基板設計に適合します。多様なマザーボードや電子回路に互換性があります。
SI1563DH-T1-GE3 データシートPDF
このウェブページからSI1563DH-T1-GE3の詳細なデータシートをダウンロードしてください。仕様、回路図、寸法図など、包括的な情報を提供し、設計や選定に役立ちます。
品質ディストリビューター
IC-Componentsは、Electro-Films(EFI)/VishayのMOSFETを含む高品質な電子部品の信頼できるディストリビューターです。競争力のある価格と安定した供給サービスを約束し、お客様の満足を追求しています。今すぐ当社ウェブサイトから見積もりをお取りください。




