部品型番 | SI4561DY-T1-GE3 |
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メーカーブランド | Electro-Films (EFI) / Vishay |
在庫数量 | 2807 pcs Stock |
プロダクト | ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-アレイ |
説明 | MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC |
フリーステータス/ RoHS状態: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
SI4561DY-T1-GE3のデータシート | SI4561DY-T1-GE3詳細[en].pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 35.5 mOhm @ 5A, 10V |
電力 - 最大 | 3W, 3.3W |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
他の名前 | SI4561DY-T1-GE3TR SI4561DYT1GE3 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 640pF @ 20V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 20nC @ 10V |
FETタイプ | N and P-Channel |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40V |
詳細な説明 | Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.8A, 7.2A 3W, 3.3W Surface Mount 8-SO |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6.8A, 7.2A |
ベース部品番号 | SI4561 |