VishayのSI7956DP-T1-GE3は、高度な電子機器において堅牢な電力管理と効率的なスイッチング能力を求める高度な用途向けに設計された高性能デュアルNチャネルMOSFETです。この革新的なMOSFETは、TrenchFET技術を採用し、コンパクトなPowerPAK SO-8デュアルパッケージ内で卓越した電気的特性を提供し、省スペースかつ高性能な電子設計環境に最適です。
主な特徴には、連続ドレイン電流2.6A、低オン抵抗105mΩ（4.1A、10V時）、動作温度範囲-55°Cから150°Cまでの幅広さがあります。ゲート電圧閾値は最大4Vで、ロジックレベルのゲート操作に対応し、多様なデジタル制御システムとの互換性も保持しています。
このMOSFETの設計は、パワーエレクトロニクスにおける重要な課題に対応し、高い信頼性と効率性を実現しています。150Vのドレイン―ソース電圧定格と最大ゲートチャージ26nCにより、自動車、産業制御、電源供給、スイッチング回路などの demanding な用途に適しています。
主な利点には、表面実装タイプであること、RoHS基準の準拠、優れた熱性能があります。PowerPAK SO-8デュアルパッケージは、優れた放熱性と機械的信頼性を確保し、最大電力定格は1.4Wです。
Vishayの製品ライン内での類似または代替モデルには、SI7957DP、SI7955DPなどのTrenchFETシリーズのバリエーションがあり、これらは類似した電気特性を持ち、パラメータのわずかな違いがあります。
このMOSFETは、高速スイッチング、低オン抵抗、過酷な環境条件下での堅牢な性能を求めるアプリケーションに特に適しており、現代の電子設計の課題に柔軟に対応できる多用途なソリューションです。
SI7956DP-T1-GE3 主要技術的特徴
このMOSFETは、2つのNチャネル（デュアル）で構成されており、効率的なスイッチングと電力制御が可能です。最大ドレイン・ソース電圧は150V、継続ドレイン電流は25°Cで2.6Aです。ゲート閾値電圧は4V（250µA時）で、低電圧下でも信頼性の高いオンが実現します。ロジックレベルゲートにより、ゲート駆動に必要な電力を低減し、省エネルギー用途に最適です。
SI7956DP-T1-GE3 梱包サイズ
タイプはテープ＆リール（TR）で、材料はPowerPAK SO-8デュアルタイプです。標準的なSO-8サイズで、ピン配置はデュアルチャネルとなっています。また、高い熱性能を持ち、信頼性の高いパッケージング仕様となっています。
SI7956DP-T1-GE3 用途
主にコンピュータや通信機器の省スペース電源管理に設計されており、効率的な電力供給と制御を必要とする現代の電子機器に適しています。
SI7956DP-T1-GE3 特徴
このMOSFETは、2つのNチャネル（デュアル）構成により、高効率なスイッチングと電力制御を実現します。最大ドレイン・ソース間電圧は150V、ドレイン電流は25°Cで2.6Aです。ゲート閾値は4Vで、低電圧でも確実にオンになります。ロジックレベルゲート機能により、省電力駆動が可能で、省エネルギー回路に最適です。
SI7956DP-T1-GE3 品質と安全性の特徴
動作温度範囲は-55°Cから+150°Cまでに対応し、さまざまな環境条件下でも信頼性の高い動作を保証します。RoHS規格に準拠し、環境に配慮した安全性も確保しています。
SI7956DP-T1-GE3 互換性
高性能な電源回路での使用に適しており、デュアルチャネル構成による冗長性や効率向上を実現します。多様な電力制御システムに適合し、信頼性の高い電力管理をサポートします。
SI7956DP-T1-GE3 データシートPDF
最も包括的で正確なSI7956DP-T1-GE3のデータシートは、当社のウェブサイトの該当ページから直接ダウンロードしてください。最新の情報と詳細な仕様を確実に入手できます。
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