部品型番 | BSP295E6327 |
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メーカーブランド | International Rectifier (Infineon Technologies) |
在庫数量 | 5800 pcs Stock |
プロダクト | ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル |
説明 | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 |
フリーステータス/ RoHS状態: | 鉛を含む/ RoHS非準拠 |
BSP295E6327のデータシート | BSP295E6327詳細[en].pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.8V @ 400µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT223-4 |
シリーズ | SIPMOS® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 300 mOhm @ 1.8A, 10V |
電力消費(最大) | 1.8W (Ta) |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA |
他の名前 | BSP295 BSP295INTR |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 368pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 17nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60V |
詳細な説明 | N-Channel 60V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1.8A (Ta) |