部品型番 | IRF1010NPBF |
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メーカーブランド | International Rectifier (Infineon Technologies) |
在庫数量 | 1000 pcs Stock |
プロダクト | ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル |
説明 | MOSFET N-CH 55V 85A TO-220AB |
フリーステータス/ RoHS状態: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
IRF1010NPBFのデータシート | IRF1010NPBF詳細[en].pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 11 mOhm @ 43A, 10V |
電力消費(最大) | 180W (Tc) |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
他の名前 | *IRF1010NPBF SP001563032 |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3210pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 120nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 55V |
詳細な説明 | N-Channel 55V 85A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220AB |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 85A (Tc) |