部品型番 | DTA123EETL |
---|---|
メーカーブランド | LAPIS Semiconductor |
在庫数量 | 54000 pcs Stock |
プロダクト | ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル、プリバイアス |
説明 | TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 |
フリーステータス/ RoHS状態: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
DTA123EETLのデータシート | DTA123EETL詳細[en].pdf |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 50V |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 300mV @ 500µA, 10mA |
トランジスタ型式 | PNP - Pre-Biased |
サプライヤデバイスパッケージ | EMT3 |
シリーズ | - |
抵抗器ベース(R2) | 2.2 kOhms |
抵抗器 - ベース(R1) | 2.2 kOhms |
電力 - 最大 | 150mW |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | SC-75, SOT-416 |
他の名前 | DTA123EETL-ND DTA123EETLTR |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
周波数 - トランジション | 250MHz |
詳細な説明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 20 @ 20mA, 5V |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 500nA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 100mA |
ベース部品番号 | DTA123 |