| 部品型番 | BUK951R6-30E,127 |
|---|---|
| メーカーブランド | NXP Semiconductors / Freescale |
| 在庫数量 | 5448 pcs Stock |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル |
| 説明 | MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB |
| フリーステータス/ RoHS状態: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 2.1V @ 1mA |
| Vgs(最大) | ±10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
| 標準パッケージ | 50 |
| シリーズ | TrenchMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.4 mOhm @ 25A, 10V |
| 電力消費(最大) | 349W (Tc) |
| 部品ステータス | Obsolete |
| パッケージング | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 他の名前 | 568-9859-5 934066519127 BUK951R630E127 |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 16150pF @ 25V |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 113nC @ 5V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 5V, 10V |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
| 詳細な説明 | N-Channel 30V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 120A (Tc) |





