部品型番 | DRA2123J0L |
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メーカーブランド | Panasonic |
在庫数量 | 18000 pcs Stock |
プロダクト | ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル、プリバイアス |
説明 | TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3 |
フリーステータス/ RoHS状態: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
DRA2123J0Lのデータシート | DRA2123J0L詳細[en].pdf |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 50V |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 250mV @ 500µA, 10mA |
トランジスタ型式 | PNP - Pre-Biased |
サプライヤデバイスパッケージ | Mini3-G3-B |
シリーズ | - |
抵抗器ベース(R2) | 47 kOhms |
抵抗器 - ベース(R1) | 2.2 kOhms |
電力 - 最大 | 200mW |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
他の名前 | DRA2123J0L-ND DRA2123J0LTR |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
詳細な説明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount Mini3-G3-B |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 80 @ 5mA, 10V |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 500nA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 100mA |
ベース部品番号 | DRA2123 |