部品型番 | UNR211D00L |
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メーカーブランド | Panasonic |
在庫数量 | 30000 pcs Stock |
プロダクト | ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル、プリバイアス |
説明 | TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3 |
フリーステータス/ RoHS状態: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
UNR211D00Lのデータシート | UNR211D00L詳細[en].pdf |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 50V |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 250mV @ 300µA, 10mA |
トランジスタ型式 | PNP - Pre-Biased |
サプライヤデバイスパッケージ | Mini3-G1 |
シリーズ | - |
抵抗器ベース(R2) | 10 kOhms |
抵抗器 - ベース(R1) | 47 kOhms |
電力 - 最大 | 200mW |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
他の名前 | UN211D-(TX) UN211D-TX UN211DTR UN211DTR-ND UNR211D00LTR |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
周波数 - トランジション | 80MHz |
詳細な説明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 200mW Surface Mount Mini3-G1 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 30 @ 5mA, 10V |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 500nA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 100mA |