SIEMENSのBStR6480Iは、先進的なパワーエレクトロニクス用途に設計された高性能なIGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスター）モジュールです。離散型半導体製品として、様々な産業・電気システムにおいて堅牢かつ効率的な電力スイッチング性能を発揮します。
このIGBTモジュールは、電力変換と制御回路の重要なコンポーネントであり、優れた電気性能と信頼性を備えています。無鉛・RoHS準拠の設計により、環境持続可能性を確保し、世界的な製造基準を満たしています。モジュラー型の封止構造は、保護機能と熱管理を強化し、 demanding な電気工学環境に適しています。
このSIEMENSのトランジスタモジュールは、複雑な電力スイッチングの課題に対応するために設計されており、優れたスイッチング特性と省エネルギー性を実現しています。産業用モータードライブや再生可能エネルギーシステム、車載電力エレクトロニクス、高出力インバーターなど、幅広い用途において正確な電力制御を可能にします。
詳細な電気仕様は公開されていませんが、SIEMENSは高品質の半導体部品を厳しい性能基準で製造していることで知られています。BStR6480Iは、中高出力の信頼性の高い電力トランジスタ性能を求める用途に最適化されていると考えられます。
代替モデルとしては、SIEMENSの他のIGBTモジュールであるBSM150GB120DN2やSKM150GB128DEなどが挙げられます。設計者やエンジニアは、SIEMENSの技術資料を参照し、正確な互換性や性能比較を行う必要があります。
このモジュールの多用途性により、産業オートメーション、再生可能エネルギー変換、モーター制御システム、無停電電源装置（UPS）、高電力電気インフラなどの重要なパワーエレクトロニクス分野で広く活用されています。
BStR6480I 主要技術的特徴
製造元部品番号はBStR6480Iで、シーメンス社製の離散型半導体製品です。高効率で低損失の性能を持ち、優れた電気的特性と熱抵抗性を備えています。
BStR6480I 梱包サイズ
タイプはIGBTモジュールで、半導体素材を使用しています。標準的なモジュールサイズで、最適化されたピン配置により効率的な接続が可能です。熱特性も強化されており、放熱性に優れています。
BStR6480I 用途
シーメンスのBStR6480Iは、高出力スイッチング用途に広く使用されており、電気自動車、再生可能エネルギー用インバーター、産業用モータードライブなどに適しています。効率的な電力管理とシステム最適化を求めるエンジニアに最適です。
BStR6480I 特徴
このBStR6480I IGBTモジュールは、低導通損失とスイッチング損失に優れた高効率性能を持ちます。先進のトレンチフィールドストップ技術を採用し、高電圧スイッチングにおいて高いパフォーマンスを実現。優れた熱管理システムにより、過酷な環境下でも信頼性と長寿命を確保します。堅牢な設計で高パルス電流に対応し、低熱抵抗と良好な熱電性能を備えています。
BStR6480I 品質と安全性の特徴
BStR6480Iは、高い品質と安全基準を満たしており、RoHS指令に準拠しています。厳格なテストと検証工程を経て、極端な条件下でも性能、信頼性、安全性を保証します。
BStR6480I 互換性
このIGBTモジュールは、標準のゲートドライバーとシームレスに連携し、多様な温度・電圧範囲で効率的に動作します。様々な産業用途との互換性も考慮されています。
BStR6480I データシートPDF
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品質ディストリビューター
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