SIEMENS（シーメンス）のBStT68H256は、高性能なディスクリート半導体製品であり、「パワートランジスタ」や「IGBTモジュール」に分類される製品です。この絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）モジュールは、さまざまな産業用および電力電子アプリケーションのニーズに対応するために設計されており、堅牢で効率的なソリューションを提供します。
BStT68H256モジュールは、環境規制に準拠した鉛フリーおよびRoHS適合の封止材を使用しており、広範な用途での使用が可能です。IGBTモジュールの構造は、多用途で信頼性の高いプラットフォームを提供し、モータードライブやパワーインバーター、産業制御システムなどに適しています。
主な仕様として、最大コレクター-エミッター電圧が1200V、連続コレクター電流が68Aと高電圧・高出力に対応可能です。これにより、効率的かつ信頼性の高い電力変換が求められる産業用・電力電子アプリケーションに最適です。
BStT68H256の主な利点は、堅牢な設計、高いパワー密度、優れた熱管理性能にあります。これらの特徴により、過酷な環境や高負荷の用途においても安定して動作可能です。
互換性の面では、BStT68H256はさまざまな電力電子システムに簡単に統合でき、設計者やエンジニアにとって「プラグアンドプレイ」のソリューションを提供します。このIGBTモジュールは、産業オートメーション、再生可能エネルギーシステム、交通機関など多岐にわたる分野で活用されています。
なお、BStT68H256はシーメンスの独自製品ですが、他のメーカーからも類似または代替モデルが存在します。例えば、SEMIKRONのSKM68GB12T4、三菱電機のCM600DY-24A、インフィニオンテクノロジーズのFF600R12ME4などが挙げられます。これらの製品の仕様や性能をよく比較し、用途に最適なモデルを選定することをお勧めします。
BStT68H256 主要技術的特徴
メーカーオプション番号はBStT68H256で、SIEMENS製の離散型半導体製品に分類されるトランジスタ（IGBTモジュール）です。鉛フリーでRoHSに準拠し、堅牢な絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）モジュールの封止方式を採用しています。
BStT68H256 梱包サイズ
タイプはモジュール式で、堅牢なシリコン素材を使用しています。コンパクトな設計で標準産業レイアウトに適合し、既存のシステムへの組み込みが容易です。熱特性も向上させており、長期間の高性能を保持します。電気的特性は高効率の導通と最小限の電力損失を実現しています。
BStT68H256 用途
BStT68H256は、高効率なパワーシステム、モータードライブ、エネルギーマネジメントなどの先端的な用途に適しており、耐久性と信頼性が求められるさまざまな電子機器で活用されています。
BStT68H256 特徴
このモデルは、SIEMENSの最先端絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）技術を採用した高性能モジュールであり、卓越したスイッチング速度と低オン時電圧を実現しています。これによりエネルギー損失を軽減し、システムの効率化を促進します。高温・高負荷条件でも安定した動作を続け、過酷な環境にも対応可能です。
BStT68H256 品質と安全性の特徴
このIGBTモジュールは、厳格な品質基準を満たしており、堅牢な性能と長寿命を保証します。鉛フリーでRoHS基準に適合しており、環境・安全面でも安心して使用できる電子部品です。
BStT68H256 互換性
標準的なIGBTドライバーおよび回路レイアウトと互換性があり、既存システムへの組み込みや交換が容易です。大きな改修なく導入できる設計となっています。
BStT68H256 データシートPDF
最も正確な技術詳細と仕様情報、またBStT68H256 IGBTモジュールの包括的な解析については、弊社ウェブサイトからデータシートのPDFをダウンロードしてください。この資料はこの製品モデルに関する最も信頼性の高い情報源です。
品質ディストリビューター
IC-Componentsは、SIEMENS製品の信頼できるディストリビューターとして、BStT68H256 IGBTモジュールを競争力のある価格で提供し、優れたアフターサービスを実現しています。高品質な部品を使ったプロジェクトの強化にぜひご利用ください。まずは当社ウェブサイトからお見積もりをお取りください！
