部品型番 | SIHF22N60E-GE3 |
---|---|
メーカーブランド | VISHAY |
在庫数量 | 5000 pcs Stock |
プロダクト | 集積回路 (ic) > 専用 ic |
説明 | |
フリーステータス/ RoHS状態: | |
SIHF22N60E-GE3のデータシート | SIHF22N60E-GE3詳細[en].pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 Full Pack |
シリーズ | E |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 180 mOhm @ 11A, 10V |
電力消費(最大) | 35W (Tc) |
パッケージング | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
他の名前 | SIHF22N60E-GE3CT SIHF22N60E-GE3CT-ND |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1920pF @ 100V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 86nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600V |
詳細な説明 | N-Channel 600V 21A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 21A (Tc) |