Vishay / SiliconixのSIA910EDJ-T1-GE3は、効率的な電力管理とコンパクトな設計を必要とする高度な電子アプリケーション向けに設計された高性能なデュアルNチャネルMOSFETです。この先進的なトランジスタはTrenchFET技術を採用し、ミニチュアのPowerPAK SC-70-6デュアルパッケージ内で優れた電気特性を発揮し、省スペースな電子システムに最適です。
このデバイスは、25°Cでの連続ドレイン電流4.5Aや、5.2Aかつ4.5Vでの低オン抵抗28mΩといった優れた電気性能を提供します。論理レベルゲート設計により、最新の低電圧制御回路と互換性があり、-55°Cから150°Cまでの広範な動作温度範囲をサポートし、過酷な環境条件下でも高い信頼性を確保します。
主な特長としては、コンパクトな表面実装型の形状、低ゲートチャージ16nC、最大電力消費7.8Wを実現しています。ドレイン-ソース間の耐圧は12Vで、入力容量は455pFと、効率的なスイッチングと低い電力損失が求められる用途に適しています。
適用分野としては、電源管理システム、モーター制御回路、携帯型電子機器、自動車電子機器、そして高性能・低プロファイルなトランジスタソリューションを必要とする各種組み込みシステムが挙げられます。RoHS準拠により、現代の電子設計にも適した製品です。
仕様に直接的な互換モデルについては明記されていませんが、ON SemiconductorやFairchild Semiconductor、Texas Instrumentsなどのメーカーが提供する類似のデュアルNチャネルMOSFETは、同等の性能特性を持つ場合があります。技術者は詳細なデータシートを参照して正確な比較検討を行うことを推奨します。
この製品はテープ＆リール包装で提供されており、表面実装の組み立て工程の効率化や大量生産のニーズに対応します。
SIA910EDJ-T1-GE3 主要技術的特徴
このMOSFETは、デュアルNチャネル構成を採用し、12Vのドレイン-ソース電圧（Vdss）と25℃での連続ドレイン電流（Id）が4.5Aで、低抵抗のオン抵抗（Rds On）が最大28mΩです。ゲート電圧は4.5Vで動作し、高効率の電力管理を実現します。高耐熱性と信頼性を持ち、-55°Cから150°Cまでの広範な動作温度範囲に対応しています。
SIA910EDJ-T1-GE3 梱包サイズ
パッケージタイプはテープ＆リール（TR）で、材料はPowerPAK SC-70-6デュアルです。コンパクトな設計で、省スペース用途に適合し、業界標準のSC-70-6フットプリントを採用しています。
SIA910EDJ-T1-GE3 用途
パソコン、通信機器、産業用システムなど、高効率の電源管理を必要とする電子機器に最適です。小型化と高性能を両立させた設計が求められる場面に適しています。
SIA910EDJ-T1-GE3 特徴
デュアルNチャネル構成により、コンパクトなSC-70-6パッケージ内で高い機能性を実現。ドレイン-ソース電圧12V、継続ドレイン電流4.5Aを備え、ロジックレベルのゲート入力に対応。高性能なTrenchFET技術により、電力損失を低減し、システム全体の効率向上を促進します。ゲートチャージは8Vで16nCに最適化されており、スイッチング時間の短縮と消費電力の削減に寄与します。
SIA910EDJ-T1-GE3 品質と安全性の特徴
Vishayの厳格な品質管理のもとで製造され、RoHS規格に準拠しています。-55°Cから150°Cまでの広範な動作温度範囲に対応し、過酷な産業環境でも安定した性能を発揮します。
SIA910EDJ-T1-GE3 互換性
Surface Mount Technology（SMT）に適合し、業界標準のSC-70-6フットプリントを有しています。テープ＆リール包装により、自動組立ラインへの導入や多種の回路基板への組み込みが容易です。
SIA910EDJ-T1-GE3 データシートPDF
当社ウェブサイトからSIA910EDJ-T1-GE3のデータシートをダウンロードできます。詳細な技術仕様、使用ガイドライン、性能特性を確認し、最適な適用と性能向上を図るためにご利用ください。
品質ディストリビューター
IC-Componentsは、Vishay / Siliconixの正規代理店として、高い信頼性と競争力のある価格を提供しています。お客様には直接見積もり依頼を推奨し、迅速なサポートと在庫確認を可能にしています。信頼性の高い高品質部品をお求めの場合は、ぜひIC-Componentsにご相談ください。
