部品型番 | SI3588DV-T1-GE3 |
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メーカーブランド | Electro-Films (EFI) / Vishay |
在庫数量 | 3000 pcs Stock |
プロダクト | ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-アレイ |
説明 | MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP |
フリーステータス/ RoHS状態: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
SI3588DV-T1-GE3のデータシート | SI3588DV-T1-GE3詳細[en].pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 450mV @ 250µA (Min) |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 80 mOhm @ 3A, 4.5V |
電力 - 最大 | 830mW, 83mW |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
他の名前 | SI3588DV-T1-GE3TR SI3588DVT1GE3 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
FETタイプ | N and P-Channel |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20V |
詳細な説明 | Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.5A, 570mA 830mW, 83mW Surface Mount 6-TSOP |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.5A, 570mA |
ベース部品番号 | SI3588 |