部品型番 | SI4686DY-T1-GE3 |
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メーカーブランド | Electro-Films (EFI) / Vishay |
在庫数量 | 23775 pcs Stock |
プロダクト | ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC |
フリーステータス/ RoHS状態: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
SI4686DY-T1-GE3のデータシート | SI4686DY-T1-GE3詳細[en].pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
シリーズ | TrenchFET®, WFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 9.5 mOhm @ 13.8A, 10V |
電力消費(最大) | 3W (Ta), 5.2W (Tc) |
パッケージング | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
他の名前 | SI4686DY-T1-GE3CT SI4686DYT1GE3 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1220pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 26nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
詳細な説明 | N-Channel 30V 18.2A (Tc) 3W (Ta), 5.2W (Tc) Surface Mount 8-SO |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 18.2A (Tc) |