部品型番 | SIA417DJ-T1-GE3 |
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メーカーブランド | Electro-Films (EFI) / Vishay |
在庫数量 | 50000 pcs Stock |
プロダクト | ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル |
説明 | MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6 |
フリーステータス/ RoHS状態: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
SIA417DJ-T1-GE3のデータシート | SIA417DJ-T1-GE3詳細[en].pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±5V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SC-70-6 Single |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 23 mOhm @ 7A, 4.5V |
電力消費(最大) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SC-70-6 |
他の名前 | SIA417DJ-T1-GE3TR SIA417DJT1GE3 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1600pF @ 4V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 32nC @ 5V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.2V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 8V |
詳細な説明 | P-Channel 8V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 12A (Tc) |